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ZMY20M
SEMICONDUCTORS
ISSUE 2 - JANUARY 2004
2
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Supply voltage
V
B
12
V
Total power dissipation
P
TOT
120
mW
Operating temperature range
T
amb
-25 to +125
癈
Storage temperature range
T
stg
-25 to +125
癈
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
SYMBOL   MIN.    TYP.   MAX.    UNIT    CONDITIONS
Bridge resistance
R
br
1.2
1.7
2.2
k
Output voltage range
V
O
/V
B
12
18
24
mV/V
Auxiliary field
Hx
-
2
-
kA/m
Disturbing field
Hd
-
-
30
kA/m
Open circuit sensitivity
S
3.0
5.5
7.0    (mV/V)/
(kA/m)
No disturbing field
H
d
allowed
V
B
= const.
Hysteresis of output voltage
V
OH
/V
B
-
-
50
V/V    Hy 2kA/m
Offset voltage
V
off
/V
B
-1.5
-
+1.5
mV/V
Operating frequency
f
max
0
-
1
MHz
Temperature coefficient of
offset voltages
TCV
off
-3
-
+3    (V/V)/K  T
amb
= -25 to +125癈
Temperature coefficient of
bridge resistance
TCR
br
0.25
0.3    0.35
%/K
T
amb
= -25 to +125癈
Temperature coefficient of
open circuit sensitivity
V
B
= 5V
TCS
V
-0.25    -0.3    -0.35
%/K
T
amb
= -25 to +125癈
Temperature coefficient of
open circuit sensitivity
I
B
= 3mA
TCS
I
-
0.05
-
%/K
T
amb
= -25 to +125癈
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25癈 unless otherwise stated)
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